運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號(hào)。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號(hào)時(shí)，也可通過(guò)常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號(hào)RC50B
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)區(qū)域。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲(chǔ)器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無(wú)需考慮各存儲(chǔ)區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲(chǔ)卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。模擬量輸入通道數(shù)：8CH。
冷端補(bǔ)償精度：正負(fù)1.0℃。
可使用的熱電偶：B、R、S、K、E、J、T、N。
可使用的測(cè)溫電阻：-。
分辨率1：B、 R、 S、 N： 0.3℃
分辨率2：K、 E、 J、 T： 0.1℃
轉(zhuǎn)換速度：30ms/CH。
通道間緣：隔離變壓器緣。
斷線檢測(cè)：有。
外部配線連接方式：40針連接器。
輸出
溫度測(cè)量值（16位帶符號(hào)二進(jìn)制）：?2700～18200。
縮放值（16位帶符號(hào)二進(jìn)制）：有。
高速數(shù)據(jù)采樣不受掃描時(shí)間影響。
模擬量輸入模塊具有記錄功能，可高速收集工業(yè)用途中需求較多的模擬量輸入數(shù)據(jù)。
可在設(shè)定周期內(nèi)連續(xù)收集數(shù)據(jù)，每個(gè)通道多可存儲(chǔ)10000點(diǎn)的記錄數(shù)據(jù)。
此外，可將程序中的任意時(shí)間和數(shù)據(jù)的狀態(tài)變化作為保持觸發(fā)器，
據(jù)此來(lái)停止收集數(shù)據(jù)。可通過(guò)該功能保存保持觸發(fā)狀態(tài)前后的模擬量輸入數(shù)據(jù)，
便于確定發(fā)生的現(xiàn)象和收集試驗(yàn)數(shù)據(jù)。比如電機(jī)的檢測(cè)設(shè)備就使用了這一功能。
可從可編程控制器向變頻器和功率計(jì)發(fā)送試驗(yàn)?zāi)Ｊ降目刂浦噶睿?br/> 同時(shí)高速收集待測(cè)電機(jī)的測(cè)試數(shù)據(jù)。輸入輸出模塊安裝臺(tái)數(shù)：8臺(tái)。
DIN導(dǎo)軌安裝用適配器型號(hào)：R6DIN1。
外形尺寸（H）×（W）×（D）：101mm×328mm×32.5mm。輸入輸出模塊安裝臺(tái)數(shù)：8臺(tái)。
可安裝模塊：MELSEC iQ-R系列模塊。
DIN導(dǎo)軌安裝用適配器型號(hào)：R6DIN1。
外形尺寸（H）×（W）×（D）：101mm×328mm×32.5mm。
用于安裝MELSEC iQ-R系列各種模塊的基板模塊。
無(wú)法在擴(kuò)展基板模塊上安裝CPU模塊。