SRAM+E2PROM存儲卡。
RAM容量：128KB。
E2PROM容量：128KB。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：512點(diǎn)。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點(diǎn)數(shù):8192點(diǎn)。
程序容量：28k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.075μS。
PLC在程序執(zhí)行階段：按用戶程序指令存放的先后順序掃描執(zhí)行每條指令，
經(jīng)相應(yīng)的運(yùn)算和處理后，其結(jié)果再寫入輸出狀態(tài)寄存器中，
輸出狀態(tài)寄存器中所有的內(nèi)容隨著程序的執(zhí)行而改變QD70P8
輸出刷新階段：當(dāng)所有指令執(zhí)行完畢，
輸出狀態(tài)寄存器的通斷狀態(tài)在輸出刷新階段送至輸出鎖存器中，
并通過一定的方式(繼電器、晶體管或晶間管)輸出，驅(qū)動相應(yīng)輸出設(shè)備工作。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出軟元件點(diǎn)數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：30K步。
基本運(yùn)處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內(nèi)存容量：120KB。
外圍設(shè)備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）。
存儲卡I/F：SD存儲卡、擴(kuò)展SRAM卡。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時(shí)間，裝置化。
固定周期中斷程序的小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號，為裝置的更加化作出貢獻(xiàn)。
通過多CPU進(jìn)行高速、機(jī)器控制。
通過順控程序的直線和多CPU間高速通信（周期為0.88ms）的并列處理，實(shí)現(xiàn)高速控制。
多CPU間高速通信周期與運(yùn)動控制同步，因此可實(shí)現(xiàn)運(yùn)算效率大化。
此外，新的運(yùn)動控制CPU在性能上是先前型號的2倍，
確保了高速、的機(jī)器控制。控制軸數(shù)：多16軸。
插補(bǔ)功能：直線插補(bǔ)（大4軸）,圓弧插補(bǔ)（2軸）,螺旋插補(bǔ)（3軸）。
PLC容量：30k步。
高性價(jià)比的小規(guī)模系統(tǒng)。
電源、可編程傳感器、運(yùn)動控制器三位一體。
大控制軸數(shù)：16軸。
支持視覺系統(tǒng)。