SRAM存儲器卡；容量：2M字節。
支持SD存儲卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲卡，
從而能夠與有SD存儲卡插口的PC之間輕松地實現數據交換。
另外、可同時使用SD存儲卡和擴展SRAM卡。
因此，可利用擴展SRAM卡擴展文件寄存器，
可利用SD存儲卡同時進行數據文件記錄、大量注釋數據保存、通過存儲卡進行引導運行QJ71MT91
只需插入SD存儲卡，即可自動記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設定文件的SD存儲卡，即可自動開始記錄。
即使在需要進行遠程數據收集時，
通過郵件接收記錄設定文件并將其到SD存儲卡中后，
即可立即開始記錄。
更好的用戶體驗數據記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向導輕松完成設置，
便可將收集的數據以CSV格式保存到SD存儲卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創建各種參考資料，
包括日常報告、生成報表及一般報告。
這些資料可應用于啟動時的數據分析、追溯等。
毫無遺漏地記錄控制數據的變動
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時間間隔內收集數據，
毫無遺漏地記錄的控制數據的變動。
因此，在發生故障時，可快速確定原因，進行的動作分析。三相4線式。
測量電路數：3個電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產品群。
僅用一個模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數以及頻率有關的各種詳細信息。
無需梯形圖程序即可持續監視小值和大值，亦可執行2種類型的上限/下限報警。
只有在ON狀態期間，才可測量輸出設備所使用的電量。
因此可獲得設備運行期間的電量以及節拍單位內的電量。
在一個插槽中使用3相3線式產品多可測量4個電路，
使用3相4線式產品多可測量3個電路，
因此通過多電路型產品可在較小空間中實施電能測量。
例如，可使用一個模塊測量來自控制面板干線的其他負載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設置參數。手動肪沖發生器/INC同步編碼器輸入：
可使用臺數：3臺/1個模塊。
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統的32K字，
并實現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。