雙向可控硅輸出：32點(diǎn)。
額定電流電壓：AC100～240V　0.6A/1點(diǎn)，2.4A/1公共端，8點(diǎn)1公共端。
響應(yīng)時(shí)間：1ms+0.5循環(huán)周期。
外部接線(xiàn)連接方式：38點(diǎn)端子臺(tái)（端子臺(tái)另售）。
替換型號(hào)：AY23。分辨率262144PLS/res。
允許轉(zhuǎn)速3600r/min。
軸的允許載荷：徑向大為19.6N，軸向大為9.8NQ00UCPU
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。SRAM+E2PROM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：512KB。
E2PROM容量：512KB。應(yīng)用：擴(kuò)展用。
適合安全標(biāo)準(zhǔn)：EN954-1類(lèi)別4，ISO13849-1 PLe。
安全輸入點(diǎn)數(shù)：1點(diǎn)。
使用專(zhuān)用設(shè)定工具直觀地進(jìn)行配置。
構(gòu)成設(shè)定使用豐富的組件可輕松、快捷地設(shè)定硬件構(gòu)成。
創(chuàng)建邏輯對(duì)于安全設(shè)備，通過(guò)使用自動(dòng)生成的標(biāo)簽的FB可以方便地創(chuàng)建邏輯。
邏輯的導(dǎo)入和導(dǎo)出。
可以只把對(duì)輸入輸出模塊的連接設(shè)定和通過(guò)功能塊創(chuàng)建的應(yīng)用邏輯作為一個(gè)設(shè)定文件進(jìn)行存儲(chǔ)，
或者從已保存設(shè)定文件進(jìn)行讀取。輸入：4通道。
鉑電阻(Pt100；JPt100)。
加熱器斷線(xiàn)檢測(cè)功能。
采樣周期：0.5s/4通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)x2。
尖峰電流功能。
可防止同時(shí)打開(kāi)輸出以控制尖峰電流，有助于節(jié)能及降低運(yùn)行成本。
同時(shí)升溫功能。
使多個(gè)回路同時(shí)達(dá)到設(shè)置值，以進(jìn)行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節(jié)能及降低運(yùn)行成本。
自動(dòng)調(diào)整功能。
可在控制過(guò)程中自動(dòng)調(diào)節(jié)PID常數(shù)。
可降低自動(dòng)調(diào)整成本（時(shí)間、材料和電能）。
可靈活進(jìn)行各種設(shè)置，實(shí)現(xiàn)佳溫度控制的溫度調(diào)節(jié)模塊。
針對(duì)擠壓成型機(jī)等溫度控制穩(wěn)定性要求高的設(shè)備，
溫度調(diào)節(jié)模塊具有防過(guò)熱和防過(guò)冷的功能。
可根據(jù)控制對(duì)象設(shè)備，選擇標(biāo)準(zhǔn)控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式。
此外，也可選擇混合控制模式（結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)控制和加熱-冷卻控制）。