輸出：2通道。
輸入（分辨率）：0~4000；-4000~4000；0~12000；-12000~12000；-16000~16000。
輸出：DC-10~10V；DC0~20mA。
轉(zhuǎn)換速度：80μs/1通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)。
提供各種模擬量模塊，是應(yīng)用于過程控制應(yīng)用的理想選擇。
也可滿足高速、控制需求Q20UDEHCPU
適合用于要求高速轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域的模擬量模塊。
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品。
這些模塊功能多樣，在連接設(shè)備時(shí)，實(shí)現(xiàn)了大的靈活性。
可滿足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器的控制，
以及要求控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實(shí)現(xiàn)恰如其分的控制。
電源與輸出之間變壓器隔離。
高緣強(qiáng)度耐壓。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
以智能功能拓展控制的可能性。應(yīng)用：Q系列用。
適合安全標(biāo)準(zhǔn)：EN954-1類別4，ISO13849-1 PLe。
安全輸入點(diǎn)數(shù)：1點(diǎn)。
增設(shè)臺(tái)數(shù)：增設(shè)用安全繼電器模塊多3臺(tái)。
使用專用設(shè)定工具直觀地進(jìn)行配置。
構(gòu)成設(shè)定使用豐富的組件可輕松、快捷地設(shè)定硬件構(gòu)成。
創(chuàng)建邏輯對(duì)于安全設(shè)備，通過使用自動(dòng)生成的標(biāo)簽的FB可以方便地創(chuàng)建邏輯。
邏輯的導(dǎo)入和導(dǎo)出。
可以只把對(duì)輸入輸出模塊的連接設(shè)定和通過功能塊創(chuàng)建的應(yīng)用邏輯作為一個(gè)設(shè)定文件進(jìn)行存儲(chǔ)，
或者從已保存設(shè)定文件進(jìn)行讀取。SRAM+E2PROM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：512KB。
E2PROM容量：512KB。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：28 k步。
處理速度：34ns。
程序存儲(chǔ)器容量：144 KB。
內(nèi)置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的內(nèi)置軟元件存儲(chǔ)器容量增加到多60K字。
對(duì)增大的控制、質(zhì)量管理數(shù)據(jù)也可高速處理。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。