輸出點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
輸出形式：晶體管（源型）輸出。
額定開閉電壓、電流：-。
額定負(fù)載電壓：DC12～24V。
大負(fù)載電流：0.1A/點(diǎn)。
響應(yīng)時(shí)間：1ms以下。
公共端方式：32點(diǎn)/公共端。
保護(hù)功能（過載、過熱）：有。
外部配線連接方式：40針連接器。
輸出模塊帶機(jī)械式繼電器觸點(diǎn)機(jī)構(gòu)，
包括所用的負(fù)載電壓范圍較大的繼電器輸出型和可用于DC12~24V負(fù)載的晶體管輸出型R7D-AP02H
可根據(jù)負(fù)載電壓、輸出點(diǎn)數(shù)的不同，選擇適合用戶需求的模塊。
根據(jù)繼電器觸點(diǎn)壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。
繼電器輸出模塊可累計(jì)各輸出點(diǎn)的ON次數(shù)。
可通過了解該繼電器觸點(diǎn)的開關(guān)次數(shù)，根據(jù)繼電器壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號(hào)。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號(hào)時(shí)，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號(hào)。
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)區(qū)域。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲(chǔ)器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無需考慮各存儲(chǔ)區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲(chǔ)卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。輸入輸出模塊安裝臺(tái)數(shù)：8臺(tái)。
可安裝模塊：MELSEC iQ-R系列模塊。
DIN導(dǎo)軌安裝用適配器型號(hào)：R6DIN1。
外形尺寸（H）×（W）×（D）：101mm×328mm×32.5mm。
用于安裝MELSEC iQ-R系列各種模塊的基板模塊。
無法在擴(kuò)展基板模塊上安裝CPU模塊。模擬量輸出通道數(shù)：8CH。
精度
環(huán)境溫度25正負(fù)5°C：正負(fù)0.1% 以內(nèi)。
環(huán)境溫度0～55°C：正負(fù)0.3% 以內(nèi)。
溫度系數(shù)：-。
轉(zhuǎn)換速度：80μs/CH。
通道間緣：-
輸出短路保護(hù)：有。
外部供給電源：DC24。
外部配線連接方式：18點(diǎn)螺釘端子臺(tái)。
電壓輸出
數(shù)字量輸入值：-。
模擬量輸出電壓：-。
電流輸出
數(shù)字量輸入值：0～32000。
模擬量輸出電流：DC0～20mA。
高速輸出流暢的模擬量波形。
模擬量輸出模塊具有將任意波形數(shù)據(jù)注冊(cè)到模塊中，并根據(jù)設(shè)定的轉(zhuǎn)換周期連續(xù)執(zhí)行模擬量輸出的功能。
執(zhí)行沖壓機(jī)和注塑成型機(jī)等的模擬量(扭矩)控制時(shí)，可自動(dòng)輸出事先注冊(cè)的控制波形，
通過程序進(jìn)行高速、流暢的控制。此外，僅需事先將波形數(shù)據(jù)注冊(cè)到模塊中，
即可輕松控制模擬量波形，因此在進(jìn)行生產(chǎn)線控制等重復(fù)控制時(shí)，
無需使用專用的程序來創(chuàng)建波形，可減少編程工時(shí)。
模塊間結(jié)合功能。
結(jié)合使用多64臺(tái)的溫度調(diào)節(jié)模塊進(jìn)行溫度控制。可結(jié)合的功能為以下兩點(diǎn)。
模塊間同時(shí)升溫功能。
模塊間峰值電流功能。