輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC5~24A/點(diǎn)；8A/公共端。
OFF時(shí)漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時(shí)間：10ms。
漏型、源型共用型。
18點(diǎn)端子臺(tái)。
帶浪涌吸收器。
所有點(diǎn)獨(dú)立。
高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期Q2ASHCPU
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數(shù)據(jù)，
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等，可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。安裝DIN導(dǎo)軌用的適配器。
用于Q32SB、Q33SB、Q35SB、Q33B、Q52B、Q55B、Q63B。更換用電池。
初始電壓3.0V。
更換用大容量電池模塊，帶電纜。
電流容量：18000mAh。
使用壽命：5年。
外形尺寸：98*55.2*87mm輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
可以用CF卡。
OS：VxWorks Version 6.4。
只需插入SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設(shè)定文件的SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)開始記錄。
即使在需要進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)收集時(shí)，
通過郵件接收記錄設(shè)定文件并將其到SD存儲(chǔ)卡中后，
即可立即開始記錄。
自動(dòng)將記錄文件傳輸?shù)紽TP服務(wù)器
只需通過記錄配置工具進(jìn)行簡(jiǎn)單的設(shè)置，
便可將存儲(chǔ)在SD存儲(chǔ)卡上的數(shù)據(jù)記錄文件發(fā)送到FTP服務(wù)器。
由于記錄服務(wù)器可處理多個(gè)文件，因此可減少管理和維護(hù)任務(wù)。
發(fā)生故障時(shí)也能夠迅速應(yīng)對(duì)。
只需提取與問題相關(guān)的數(shù)據(jù)，不必花時(shí)間過濾大量的診斷數(shù)據(jù)，
因此可快速確定故障原因，并制定解決方案。